原子层沉积系统研发、关键技术与应用

项目持有方：江苏大学
项目简介
本项目致力于与原子层沉积（ALD）相关的装备以及解决方案的研究与开发。目前已经掌握ALD设备的制造工艺，以及对ALD设备的功能模块化改进，能够满足各种材料薄膜在各种表面的可控生长；同时掌握特殊结构沉积方式的设计与优化，以及ALD所需材料前驱物的合成与优化的策略。
性能指标
1. 前驱体数达到4种；工艺温度可达300℃，前驱体瓶温度可达180℃，气体输运管道温度可达200℃，温度变化小于±0.1℃；衬底尺寸可满足8寸晶圆；
2. 均匀性大于99%；
3. 可实现高长径比的孔径结构内部以及3D结构表面均匀薄膜沉积；
4. 可升级等离子体以及在线检测等选项，实现等离子体辅助热ALD；
适用范围、市场前景
ALD系统可以较为广泛地应用于半导体工业，例如栅极介电层、金属栅电极、互连线势垒层、扩散阻挡层等的学术研究、企业研发和规模化生产；太阳能电池、OLED等的表面钝化膜沉积；微电子机械系统涂层；光电子材料和器件，例如介电质光栅的制备；以及能源、催化纳米材料和各种多孔结构薄膜涂层的开发等。基于其广泛的应用范围，ALD系统是近些年来国内外发展的一个热点，在国内部分研究机构以及少量企业已经安装和应用。目前国内所用ALD设备主要以进口为主，有少量的国内生产企业正在开展国产化取代工作。然而由于价格依然比较昂贵，不利于其大范围的推广。所以总体来说，ALD系统在国内有着广阔的市场前景，同时也是发展半导体产业，改变国产芯片掐脖子现状的一个良好的支撑点。
投资概算
包括硬件系统、软件控制系统，我们前期投入50万元的研发基金，预计总共投入200万元。
合作方式
技术转让或产学研合作开发。
联系方式：0553—3993786