Si基增强型GaN HEMT器件研究与应用

项目持有方：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
成果简介：基于AlGaN/GaN结构的HEMT（高电子迁移率晶体管）凭借其优异特性突破了传统Si功率电子器件的材料极限，推进电力电子系统向高压、高频、高温、低功耗、小体积、轻重量的方向发展。增强型GaN HEMT是实际电子电路应用的研究热点与难题，而国内目前应用的GaN芯片几乎来自国外，本项目基于可推广应用的具有自主知识产权技术研制的频率大于MHz新型Si衬底增强型GaN基HEMTs高频开关器件，可应用于快充、无线充电、数据中心与激光雷达驱动，促进5G通信，无人驾驶，汽车电子，消费电子等领域发展。 
成果创新性：本项目采用H等离子体钝化p-GaN技术制备增强型AlGaN/GaN HEMT，此方案不仅工艺窗口大，工艺稳定、重复性高，钝化而成的高阻GaN还对电流崩塌有一定的屏蔽效应，适合规模工业化生产。项目团队依托于中科院苏州纳米所纳米加工平台，它是国际先进、国内领先的微纳加工实验室和开放平台，拥有强大的半导体器件研发与对外服务能力，可根据客户要求私人定制芯片。
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