面向SiC双极型器件的 CVD外延生长技术

项目持有方：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
成果简介：SiC双极型退化是阻碍SiC电力电子器件向超高压（＞10kV）、大功率应用领域发展的关键问题，目前全球尚无商业SiC双极型器件面世。本项目针对此问题，实现了SiC低氮掺漂移层、高氮掺缓冲层、复合中心杂质掺杂缓冲层的可控生长，SiC PiN二极管开态压降稳定性得到显著提高。此成果尚属国内首创。 
成果创新性：项目获国家青年自然科学基金及中科院仪器设备功能开发技术创新项目支持，可承接用户定制SiC外延层及器件结构的生长。1、4°/8° 4英寸及以下，外延生长温度最高1650°C，速率可至20μm/h；2、背景载流子浓度1.5×1015cm-3，可控N掺杂至2.0×1019cm-3；3、可控复合中心杂质掺杂浓度至1.0×1016cm-3；4、含复合增强缓冲层的4H-SiC PiN二极管正向电流密度100A/cm2 10min，无明显开态压降变化。
联系方式：0553—3993786