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基于三代半导体的高功率通讯集成电路设计与应用创新平台

发布日期:2021-04-29 14:53来源: 安徽华东光电技术研究所有限公司作者:HC浏览次数:

建设模式:企业研发平台。建设依托单位:安徽华东光电技术研究所有限公司。建设周期:2020-2025年。

主要内容:围绕信息通信产业发展中的高性能高频卫通大功率功放缺乏可替换进口的大功率氮化镓高功率集成电路、以及产业化成本高等问题,针对微波集成电路设计应用与封测技术的迫切需求,建设基于三代半导体的高功率通讯集成电路设计与应用创新平台,开展两个“实验室”、两个“中心”的建设:两个“实验室”即集成电路设计实验室与大功率合成实验室,主要聚焦基于三代半导体的高功率通讯集成电路设计的关键技术攻关,积极开展芯片设计、系统设计、高增益线性度与稳定性研究、芯片单位面积内功率密度与散热技术研究以及空间功率合成技术研究等,实现基于三代半导体的高功率通讯集成电路的自主研制;两个“中心”即集成电路技术应用中心与集成电路微封装、封测公共服务中心,将重点聚焦基于三代半导体的高功率通讯集成电路的应用示范工作,开展卫星通讯应用功率放大器和的设计、研制和生产,以及搭建一条集微波集成电路设计研发、微封装生产、检测、试验等全自动化生产线,为全市乃至全省提供集成电路封装封测代工服务,提高集成电路的产业化能力,支撑和引领全市微电子产业高质量发展,突破芯片设计、系统设计、高增益线性度与稳定性研究、芯片单位面积内功率密度与散热技术以及空间功率合成技术等关键技术,满足提升产业创新能力、促进区域经济发展方面的需求。